NXP RF功率GaN晶体管
NXP Semiconductors的MRF24G300HS是一款300W连续波氮化镓晶体管，其效率超过磁控管，专为2450MHz的工业、科学和医疗应用设计。
该晶体管采用先进的GaN-on-SiC工艺，结合了GaN的高功率密度和SiC的高热导率。该设备的漏极效率高达73%，适用于连续波、长脉冲和短脉冲应用。
输入匹配简化了输入电路，而固有的高输出阻抗简化了匹配，消除了在生产过程中手动调整的需要。
MRF24G300HS可用于单端或推挽配置，并具有简化的门偏置，进一步降低设计复杂性。
- GaN-on-SiC用于高功率密度和优异的导热性能
- 热敏电阻:0.52℃/ W
- 排水效率(P1dB):典型73%
- 适用于连续波、长脉冲(数秒)和短脉冲应用
- 输入匹配简化输入电路
- 高输出阻抗提供一致的输出匹配
- 消除生产过程中的手动调优
- 简化的门偏降低了设计的复杂性
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