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STMicroyabosports官网electronics Mastergan1和Mastergan2系统内容

意法半导体mayabosports官网sterergan1和masterergan2是一种先进的电源sip器件，具有集成栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管，采用半桥结构，专为高达400瓦的电源应用而设计。

氮化镓的优点众所周知，它可以实现更小、更轻、损耗更低、效率更高的设计，但使用氮化镓技术正确设计离散电源非常复杂。除了提供传感、安全、保护和其他功能外，它还需要正确的晶体管和驱动器协同工作，提供优化的性能。

ST的masterergan平台消除了这种复杂性。与masterergan电源sip提供的集成使得实现基于gan的电源很容易。SiPs包括两个600伏特功率GaN晶体管，半桥配置，以及优化的硅栅驱动器，防止交叉传导的联锁功能，和一个内部自举二极管。该设备具有逻辑输入，兼容3.3至15伏逻辑电平，易于与广泛的控制器接口。他们也有内置的欠压锁定和过热保护。

masterergan器件还提供高效率和高功率密度。SiPs封装在小巧的9 × 9 × 1毫米QFN封装中，可支持高达400瓦的充电器和电源适配器。masterergan1器件中的集成GaN晶体管额定漏源极电流高达10安培，RDS(ON)为150毫欧姆。masterergan2具有相同的低侧额定值，但高侧额定值为6.5安培225毫安RDS(ON)。集成和性能减少了材料，使设计灵活、简单、快速，比现有设计小4倍，轻3倍。欲了解更多意法半导体信息 masterergan poyabosports官网wer平台 SiPs，请访问Mouser.com．

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