本周，Adesto科技公司推出了一种新型的非易失性存储器(nvm)，其耗电量比标准闪存设备低70%。
今天的电子游戏的名称是使用较少的yabosports官网电力进行更多。IOT节点通常难以访问，因此节点设备可能必须持续在相同的电池充电上，并且可用的电源是低于智能手机的级别的数量级。
本周宣布阿德斯托的FusionHD家族NVI专门为这些挑战设计的。
从图片Adesto
正如Adesto的高级营销总监Paul Hill所描述的。“Fusion很快成为我们发展最快的NVM家族，我们期待FusionHD取得更大的成功。该产品增加了强大的新功能，以满足不断变化的市场需求，并在各种苛刻的应用程序中提供了显著的优势。”
小页擦除和写架构
FusionHD系列设备具有小页擦除和写体系结构。该配方可以编写少量数据而无需重新编程整个页面。它还增强了操作速度，节省了功率，并且总体上的读/写操作较少，增加了设备的预期寿命。
这个特性在标准闪存设备中并不常见，它还可以使用更少的CPU时钟周期访问大数据包。这不仅减少了处理时间，还节省了电池电量。
此外，还有一个内部读/写SRAM缓冲区，还用于减少需要访问闪存阵列的次数。这进一步用于延长使用寿命，降低功耗并提高速度。
智能外围设备
智能主机接口，将FusionHD家族带入智能外设领域。该设备的读/修改/写操作设施不仅使软件驱动程序开发更容易，而且还将CPU释放到其他任务上。
有源IRQ允许设备在操作完成时向MCU发出信号，不仅可以释放MCU，还可以节省给定操作中使用的整个系统功率。
安全特性包括可编程的安全寄存器，可用于系统级密钥存储和唯一的设备标识。
FusionHD NVM家族成员
所有单元都是串行外围接口(SPI)设备，这意味着它们串行接收数据。它们分为双SPI输入和四SPI输入。找到家庭ag亚博科技的数据表这里．
用户会注意到，它们分为1.8伏和3.0伏版本，每个版本有多个双和四版本。FusionHD NVM族的内存密度为256Kbit ~ 128Mbit。
AT25SF641是一个示例。它是一个64Mbit设备，3.0V设备;在8垫DFN封装中，其尺寸为6 x 5 x 0.6 mm。
本机的功耗是：
- 深度掉电电流(典型)
- 10μA待机电流（典型）
- 5mA主动读电流(典型)
AT25SF641的框图。图像源码Adesto
协议支持
竞争的加剧
低功耗闪光灯是一个竞争非常激烈的领域。有许多选择和许多参数的权衡，所以设计师将不得不做他们的功课。从这里开始:
- maconix mx25r.：这款设备系列具有从512Kbit到64Mbit的内存密度。深速电流<0.5UA，有源电流为4mA或更小，可容纳1.65V至3.6V的工作电压。
- smMEM-AT45DB641是来自SensorMaestro的串行闪存设备，可在超深掉电模式下绘制400 NA。64 Mbit器件的功率范围为1.7V至3.6V。
smMEM-AT45DB641。图片由Sensormaestro
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