20年前，选择晶体管用于某一用途相对简单，尤其是因为选择几乎都是基于硅的。如今，工程师们被赋予了奢侈(或许也是负担)的特权，他们可以使用过多的不同晶体管——无论是传统的硅、SiC、GaN，还是其他的。
可用不同半导体选项的比较。使用的图像礼貌梅纳等人“第一和欧洲SIC eigth英寸试验线”（反应）项目通过ResearchGate。[访问2021年3月26日]
通过所有这些选项，作为组件选择的根本的过程可以减慢设计周期。一旦工程师选择要使用的晶体管类型，那么他或她必须选择许多不同的品牌和材料。
现在，USIDED发布了一个计算器工具，允许工程师更轻松地为其设计选择FET而不通过许多选项进行模拟或替补测试。
一种新型SiC刀具
UnitedSiC希望通过一个新的工具叫做fet射流计算器。
此计算器是一款免费的在线工具，可帮助设计人员通过比较SIC FET的性能进行不同应用程序和拓扑以及环境和电气参数来选择设备。
fet射流计算器的截图。使用的图像礼貌UnitedSiC
UnitedSiC断言计算器有助于预测系统性能，而不需要一些繁琐的动手测试过程。计算出的一些指标包括:
- 整体效率
- 组件损失（动态和传导贡献）
- 结气温
- 当前的压力水平
如果产生的电压高于给定部分的额定值，该工具还将发出警告。
它是如何运作的：FET-JET功能
尝试计算器后，它似乎是一个非常有用的工具，具有一系列功能。
该工具是一种基于应用程序的组件查找器，其中，在蝙蝠右转，您要求选择您正在选择的应用程序 - 可以创建AC / DC，DC / DC或DC / DC / DC / DC / DC / DC / DC / DC。选择申请后，系统会提示您选择您正在使用的特定拓扑。例如，在AC / DC应用中，您可以选择PFC，TPPFC，维也纳和两级电压源逆变器拓扑。
从FET-Jet计算器输入参数和器件选择升压转换器。图片由UnitedSiC
然后，您可以选择您想要的输入参数，包括功率额定，开关频率，散热器温度，以及拓扑特定的参数。
然后，计算器将输出峰值电流的值，每个FET损耗，每二极管损耗，总损耗和效率。然后，考虑到您输入的输入参数和拓扑，它将为您提供USINDER COS和二极管提供美国的FETS和二极管。
但是，在使用此计算器的SIC FET之前，请考虑一下，是您要使用的组件是否应该是SIC或Silicon。
硅与SiC.
很多方面，碳化硅将硅从水中吹走关于绩效。
SIC被认为是一个带隙的宽带隙半导体，可以达到高达3.3eV而不是硅的〜1.2eV。在此之上，SiC表现出比Si更高的孔和电子迁移率值。由于这两个特性，SIC可以承受更高的电压，击穿电压为600 V，并且由于更快的开关速度和下部r而导致更高的效率DS（开）。
Si和SiC的功率损耗表示。使用的图像礼貌三菱电气
在市场上有这么多看似卓越的选择，有人可能会问为什么要使用传统的硅晶体管。
硅的真正强度是它已经存在最长的。结果是该行业使硅产品非常可达且价格合理。如果您的应用程序能够负担低执行晶体管，则硅可以是最佳选择，以获得成本和减轻对部件可用性的担忧。
美国不是唯一提供FET选择工具的公司。EPC提供A.过滤GaN场效应晶体管的工具， ROHM也有类似的工具MOSFET选择专为同步整流DC / DC转换器和ti有一个用于同步buck变换器的FET损耗计算器。
能够快速准确选择您的应用程序合适的组件对于成功的设计至关重要。您通常如何在设计过程中比较FET？您是否利用了这样的工具？在下面的评论中分享您的方法。
