东芝宣布其最新一代射频开关ic的SOI工艺

随着智能手机和移动设备的性能以超出大多数人预期的速度提高，它们已经迁移到更高的无线频带频率。

通常，智能手机或移动设备的频率越高，天线和接收电路之间的信号损耗越高。在这种趋势下，通过补偿信号损失，提高接收信号质量的先进特性的低噪声放大器(LNA)的需求正在增加。

新的SOI工艺可以将LNAs、控制电路和射频开关集成在一个芯片上。

东芝TaRFSOI工艺技术

为了跟上潮流，东芝做出了努力改进其绝缘体上的硅(SOI)工艺TaRFSOI是一种专门为射频开关芯片设计的原创前端工艺技术。

最新一代的过程，TaRF11，建立在其前身的RF特性和当前一代SOI过程技术TaRF10的基础上，具有改进的噪声系数。东芝在其子公司日本半导体公司的晶圆厂开发的新型射频ic采用了最新的SOI-CMOS技术。

SOI过程改进

设计用于LNAs的基于tarf11的mosfet在8 GHz时能够实现最小噪声系数0.48dB。与使用TaRF10开发的类似设备相比，这是0.3dB的改进。为了与TaRF10保持一致，TaRF11工艺还允许LNA、射频开关和控制电路在单个芯片上制造。

东芝透露，计划推进TaRFSOI工艺技术，进一步提高性能，并为超宽带、Wi-Fi设备、5G智能手机(将从5GHz扩展到7GHz)等应用提供rf开关和LNA ic。