这篇文章介绍了瞬变现象和用来抑制它们的设备。在课程中,你将学习各种用来抑制瞬态的器件,包括瞬态电压抑制二极管、金属氧化物压敏电阻、多晶硅和雪崩二极管。
transient指的是暂时的峰值电压或电流这可能会以各种方式影响电路,小到小故障,大到灾难性故障。电压瞬变的范围从几毫伏到几千伏不等,持续时间从纳秒到数百毫秒不等。一些瞬态是重复的,例如由电机感应振铃引起的瞬态,而其他的瞬态则是零星的,例如ESD事件。
例如,电流瞬变可能是由涌流引起的。下图显示了一个正在热插拔的设备。
侵入电流峰值/瞬态。
施加的电压为5V(青色波形),而电流技术称为“浪涌电流” - (黄色波形)浪涌非常高:其测量值是26.2安培,持续时间为21.6μs。在这种情况下,设备本身可以承受当前的瞬态。然而,根据所连接电源的电流采购能力,它可能变得电流限制,结果可以毫无稳化电流。这可能导致不期望的设备重置或更差。
瞬态的起源
电路的内部或外部连接可以产生瞬态电流。内部生成瞬态的例子包括:
- 归纳负载切换:
- 继电器线圈
- 电机
- 电磁线圈
- 变形金刚
- 灭弧:
- 断路器、开关和连接器的触点故障
- 绕组或绝缘材料的电机
- 电气布线差
- 可怜的接地
- 集成电路逻辑切换:
- TTL
- 互补金属氧化物半导体
外部生成的瞬态通过路径输入电路(或系统),包括:
- 电源输入线:
- 雷击
- 由连接到相同电源的其他设备的接通引起的电感切换
- 数据/信号输入和/或输出线:
- 我2C
- 串行通信
- 以太网
- 其他附加电线/电缆,例如理由
防静电(静电放电)是另一种常见的外部产生的电压瞬变形式。ESD事件可能导致立即的损害,或者更糟的是,潜在的损害——有时被称为“行走的伤员”。使用“行走受伤”一词是因为ESD损坏的部件在发生灾难性故障之前可能会继续正常工作数小时、数天甚至数月。
用来抑制瞬变的装置
有许多设备可以用来帮助抑制电压瞬变。这种装置称为暂态电压抑制器(电视)。下面列出了一些比较流行的电视设备。
旁路电容器
旁路电容-用于抑制电压瞬态-也被称为去耦电容器。这种电容器,通常是两组或三组,两者之间的数值为一或两个数量级,通常放置在每个电源和每个模拟元件上,以确保电源尽可能稳定和无噪声。
电容器的象征
典型值:
- 逻辑应用:0.01 - 0.22µF
- 电源应用:0.1µF及以上
应用程序:
- 低功耗的应用程序
- RC缓冲电路
- 数字逻辑电源导轨的去耦(用于清洁功率)
好处:
- 低成本
- 现成的
- 简单的应用
- 快速的行动
缺点:
- 不均匀的抑制
- 可能需要很多:一个或两个单独的设备
稳压二极管
齐纳二极管是一个专门设计的二极管,其击穿电压降低齐纳电压。这些二极管表现出受控击穿,其允许电流保持靠近齐纳二极管的电压接近齐纳击穿电压。作为侧面,这种特性是使齐纳二极管用于产生参考电压的齐纳二极管。
齐纳二极管也经常用于保护电路免受过电压瞬变,如ESD事件。
齐纳二极管符号
应用程序:
- 低能量电路中的转移/夹紧
- 适用于高频电路
- 适合高速数据线
好处:
- 低成本
- 快速的行动
- 易于使用
- 现成的
- 标准评级
- 双向
- 校准钳位电压
- 通常是开失败(与短失败相反)
缺点:
- 限于低能量处理
瞬态电压抑制二极管
瞬态电压抑制二极管是非常受欢迎的器件,用于在瞬态电压(例如ESD事件)损坏电路之前,将其瞬间箝位到安全水平。虽然标准二极管和齐纳二极管都可以用于瞬态保护,但它们实际上是为整流和电压调节而设计的,因此不像瞬态电压抑制二极管那样可靠或健壮。
瞬态电压抑制(TVS)二极管符号:单向(左)和双向(右)。
应用程序:
- 低能电路和系统中的转移/夹紧
- 适合中频应用
好处:
- 快速的行动
- 易于使用
- 现成的
- 双向或单向的
- 校准的低钳位电压
- 没有短路
缺点:
- 高电容限制频率
- 低能量处理
- 比齐纳二极管(Zener diode)或MOVs更贵
金属氧化物压敏电阻器
金属氧化物压敏电阻(MOV)是一种双向半导体电压暂态抑制器。运动器表现为电压敏感的可变电阻。器件导通(即开关)的电压是电极导线间晶粒数的函数。在制造过程中,这个值可以改变,以创建任何所需的电压击穿阈值。
MOVS(金属氧化物变阻器)符号
应用程序:
- 在所有电压和电流水平下,在大多数低到中频电路中的导流/箝位。
- 可用于AC或DC应用。
好处:
- 低成本
- 快速的行动
- 现成的
- 校准的低钳位电压
- 易于使用
- 标准评级
- 双向
- 没有短路
缺点:
- 中到高电容限制高频性能。
- 只能耗散相对较小的功率,因此不适合需要持续功率耗散的应用。
雪崩二极管
雪崩二极管,如齐纳二极管,设计用于分解并在特定的反向偏置电压下进行非常高的电流。这种行为被称为雪崩效应。类似于齐纳二极管,在最大击穿电压范围内有些限制,雪崩二极管可用于超过4000V的击穿电压。
雪崩二极管以反向偏置结构连接,即阴极连接到更正的电压。因此,在正常情况下,二极管对电路的影响很小,但当其两端的电压超过规定的阈值时,二极管就开始导电。
雪崩二极管符号
应用程序:
- 用于保护电路以防止损坏的高压瞬变。
好处:
- 指定箝位电压VBR(击穿电压)。
- 使用它可以处理的最大大小的瞬态指定。
- 雪崩击穿事件不具有破坏性——假设二极管不过热。
缺点:
- 已知的副作用是RF噪声产生。
波多奇奇
一种PolySwitch(也称为polyfuse或可复位fuse)是一个正温度系数(PTC)电阻,由导电聚合物混合物构成。在正常操作条件下(即在正常温度条件下),多晶硅中的导电元件形成低电阻“链”,使电流更容易流动。然而,当电流通过这些链增加,体温高于一些关键阈值(一个点称为“当前”),导电聚合物的晶体结构突然改变成一个伸出和无形状态,因此,PolySwitch的阻力增加,导致电流突然下降。一旦触发,一种多晶硅就会一直处于触发状态,直到故障消除,多晶硅的温度恢复到安全水平。
PolySwitch象征
应用程序:
- 对扬声器,电机,电源和电池组的过电流保护
- 哪里需要自动复位的保险丝(即不需要更换的保险丝)
好处:
- 低成本
- 易于使用
- 自动复位
缺点:
- 需要一个冷却时间来重置
电视摘要
虽然瞬态电压抑制有许多选择和装置,不同的电视设备更适合于某些类型的瞬态或某些操作条件。明智的做法是先了解电路的需求,然后再开始寻找最佳的电视解决方案。
很好的帖子和时间,因为我昨天有一个油炸RPi,我修复了更换过热的电视sd:
https://www.raspberrypi.org/yabo sportsforums/viewtopic.php?t=46585&p=370751
https://www.raspberrypi.org/yabo sportsforums/viewtopic.php?f=28&t=34149
所以我的问题来了:有没有便宜的电视sd,像一个多熔断器一样,只是为了电压?
我想要二极管保护我的设备,但我不希望它们坏掉*和*在外部电源固定/稳定后,防止整个系统再次工作。
你好罗马!
谢谢你阅读我的文章。
我不知道有任何可复位瞬态电压抑制二极管(TVSD),尽管TVSD确实有一个工作电压范围。也许你可以找到一个比你现在使用的TVSD有更高/更大的最大工作电压的TVSD。至于说到“负担得起”,那要看情况了……“负担得起”是一个比较松散的词。我在Digikey上快速搜索了一下“瞬态电压抑制二极管”,我看到它们的价格从>$100到2.3美分不等——当然这取决于你需要的需求和数量。
综上所述,还有一些其他的评论:
你提到你的“过热的TVSD”,所以听起来像是Amok。也许目前的TVSD被低估了,你只需要找到一个更适当的大小。
你还提到“当外部电源已经固定/稳定”。考虑到这一信息,也许你可以找到一个更稳定的电源,或至少增加一些大电容到你的电压轨道,意图提供holdup电源/能量,当电压瞬态发生时,你的设备/系统;我先用三个电容:10uF, 1uF和0.1uF…然后测试,调整,并根据需要再次测试。我来自ssd(固态硬盘)的世界。任何著名的SSD都有大量的电源/能量,以解决电源故障和/或停电条件(即电压瞬变)。
如果你从下面的链接中查看SSD图片,右上方的所有盖子都是用于断电。我数了一下,大概有40个!
https://www.starwindsoftware.com/blog/wp-content/uploads/2016/06/111.png
当检测到电压瞬态时,你也可以考虑使用电压监控器或电压监视器来采取一些行动,尽管这种方法涉及更多,因为它可能需要一个单独的微处理器和/或切割你的PCB来访问电压轨和/或控制线。
我希望你发现这个有用!
-缺口